Número de pieza del fabricante | 70T3339S200BCG |
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Fabricante | IDT, Integrated Device Technology Inc |
categoria de producto | Memoria |
Cantidad disponible | 38050 Pieces |
Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
Descripción | IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | 70T3339S200BCG.pdf |
Número de pieza | 70T3339S200BCG |
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Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
Condición | New & Unused, Original Sealed |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Tamaño de la memoria | 9Mb (512K x 18) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | - |
Tiempo de acceso | 3.4ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.4 V ~ 2.6 V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | 256-LBGA |
Paquete de dispositivo del proveedor | 256-CABGA (17x17) |
Peso | 0.001 KG |
Solicitud | Email for details |
Repuesto | 70T3339S200BCG |
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