Microsemi Corporation Distribuidor www.qycomp.com APTGT75DA120T1G
Número de pieza del fabricanteAPTGT75DA120T1G
FabricanteMicrosemi Corporation
categoria de productoTransistores - IGBT - Módulos
Cantidad disponible130450 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónIGBT 1200V 110A 357W SP1
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos APTGT75DA120T1G.pdf

Atributos del producto

Número de pieza APTGT75DA120T1G
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Single
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 110A
Potencia - Max 357W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Corriente - corte de colector (máximo) 250µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 5.34nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC Yes
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja SP1
Paquete de dispositivo del proveedor SP1
Peso 0.001 KG
Solicitud Email for details
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