Número de pieza del fabricante | APTGT75DA120T1G |
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Fabricante | Microsemi Corporation |
categoria de producto | Transistores - IGBT - Módulos |
Cantidad disponible | 130450 Pieces |
Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
Descripción | IGBT 1200V 110A 357W SP1 |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | APTGT75DA120T1G.pdf |
Número de pieza | APTGT75DA120T1G |
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Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
Condición | New & Unused, Original Sealed |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | Single |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 1200V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 110A |
Potencia - Max | 357W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
Corriente - corte de colector (máximo) | 250µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 5.34nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / caja | SP1 |
Paquete de dispositivo del proveedor | SP1 |
Peso | 0.001 KG |
Solicitud | Email for details |
Repuesto | APTGT75DA120T1G |
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