Número da peça do fabricante | APTGT75DA120T1G |
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Fabricante | Microsemi Corporation |
Categoria de Produto | Transistores - IGBTs - Módulos |
Quantidade disponível | 130450 Pieces |
Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
Descrição | IGBT 1200V 110A 357W SP1 |
Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | APTGT75DA120T1G.pdf |
Número da peça | APTGT75DA120T1G |
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Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
Condição | New & Unused, Original Sealed |
Status da Parte | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Single |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 1200V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 110A |
Power - Max | 357W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | 5.34nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / Caso | SP1 |
Pacote de dispositivos de fornecedores | SP1 |
Peso | 0.001 KG |
Aplicação | Email for details |
Peça de reposição | APTGT75DA120T1G |
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