| Número de pieza del fabricante | APTSM120AM55CT1AG |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Arreglos |
| Cantidad disponible | 109320 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | POWER MODULE - SIC |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | APTSM120AM55CT1AG.pdf |
| Número de pieza | APTSM120AM55CT1AG |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 74A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 2mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 272nC @ 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5120pF @ 1000V |
| Potencia - Max | 470W |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | SP1 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SP1 |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | APTSM120AM55CT1AG |
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