| Número de pieza del fabricante | BR25G640FVT-3GE2 |
|---|---|
| Fabricante | Rohm Semiconductor |
| categoria de producto | Memoria |
| Cantidad disponible | 53600 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | SPI BUS EEPROM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | BR25G640FVT-3GE2.pdf |
| Número de pieza | BR25G640FVT-3GE2 |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | EEPROM |
| Tecnología | EEPROM |
| Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
| Frecuencia de reloj | 20MHz |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | 5ms |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | SPI |
| Suministro de voltaje | 1.6 V ~ 5.5 V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-TSSOP-B |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | BR25G640FVT-3GE2 |
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