Rohm Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com BSM120D12P2C005
Número de pieza del fabricanteBSM120D12P2C005
FabricanteRohm Semiconductor
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Arreglos
Cantidad disponible118600 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos BSM120D12P2C005.pdf

Atributos del producto

Número de pieza BSM120D12P2C005
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 22mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 10V
Potencia - Max 780W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje -
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module
Peso 0.001 KG
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Repuesto BSM120D12P2C005

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