| Número de pieza del fabricante | BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| categoria de producto | Transistores - IGBT - Módulos |
| Cantidad disponible | 22000 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | BSM50GD120DN2E3226BOSA1.pdf |
| Número de pieza | BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de IGBT | - |
| Configuración | Three Phase Inverter |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50A |
| Potencia - Max | 350W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 1mA |
| Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | Module |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Module |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
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