Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com BSM75GB120DN2HOSA1
Número de pieza del fabricanteBSM75GB120DN2HOSA1
FabricanteInfineon Technologies
categoria de productoTransistores - IGBT - Módulos
Cantidad disponible39510 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónIGBT 2 MED POWER 34MM-1
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos BSM75GB120DN2HOSA1.pdf

Atributos del producto

Número de pieza BSM75GB120DN2HOSA1
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de IGBT -
Configuración Half Bridge
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 105A
Potencia - Max 625W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 75A
Corriente - corte de colector (máximo) 1.5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 5.5nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module
Peso 0.001 KG
Solicitud Email for details
Repuesto BSM75GB120DN2HOSA1

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Infineon Technologies Distribuidor

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