Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com BSP295E6327T
Número de pieza del fabricanteBSP295E6327T
FabricanteInfineon Technologies
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible176580 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos BSP295E6327T.pdf

Atributos del producto

Número de pieza BSP295E6327T
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 400µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 368pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-SOT223-4
Paquete / caja TO-261-4, TO-261AA
Peso 0.001 KG
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Repuesto BSP295E6327T

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Infineon Technologies Distribuidor

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