| Número de pieza del fabricante | DF200R12W1H3FB11BOMA1 |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| categoria de producto | Transistores - IGBT - Módulos |
| Cantidad disponible | 470571 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1 |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | DF200R12W1H3FB11BOMA1.pdf |
| Número de pieza | DF200R12W1H3FB11BOMA1 |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | Trench Field Stop |
| Configuración | Three Phase Inverter |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30A |
| Potencia - Max | 20mW |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.45V @ 15V, 30A |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 1mA |
| Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 6.15nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | Yes |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | Module |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Module |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | DF200R12W1H3FB11BOMA1 |
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