Diodes Incorporated Distribuidor www.qycomp.com DMN3110LCP3-7
Número de pieza del fabricanteDMN3110LCP3-7
FabricanteDiodes Incorporated
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible121230 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos DMN3110LCP3-7.pdf

Atributos del producto

Número de pieza DMN3110LCP3-7
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69 mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 1.52nC @ 4.5V
Vgs (Max) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.38W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor X2-DFN1006-3
Paquete / caja 3-XFDFN
Peso 0.001 KG
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