Número de pieza del fabricante | ECF840AAACN-C2-Y3 |
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Fabricante | Micron Technology Inc. |
categoria de producto | Memoria |
Cantidad disponible | 105790 Pieces |
Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
Descripción | IC DRAM 8G PARALLEL |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | ECF840AAACN-C2-Y3.pdf |
Número de pieza | ECF840AAACN-C2-Y3 |
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Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
Condición | New & Unused, Original Sealed |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (512M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14 V ~ 1.95 V |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete / caja | - |
Paquete de dispositivo del proveedor | - |
Peso | 0.001 KG |
Solicitud | Email for details |
Repuesto | ECF840AAACN-C2-Y3 |
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