EPC Distribuidor www.qycomp.com EPC8009
Número de pieza del fabricanteEPC8009
FabricanteEPC
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible165610 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónTRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos EPC8009.pdf

Atributos del producto

Número de pieza EPC8009
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 65V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 0.45nC @ 5V
Vgs (Max) +6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 52pF @ 32.5V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor Die
Paquete / caja Die
Peso 0.001 KG
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