ON Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com FDB0260N1007L
Número de pieza del fabricanteFDB0260N1007L
FabricanteON Semiconductor
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible78690 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos FDB0260N1007L.pdf

Atributos del producto

Número de pieza FDB0260N1007L
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 200A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 118nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8545pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
Paquete / caja TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Peso 0.001 KG
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Repuesto FDB0260N1007L

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