ON Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com FDB1D7N10CL7
Número de pieza del fabricanteFDB1D7N10CL7
FabricanteON Semiconductor
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible143680 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónFET 100V 1.7 MOHM D2PAK
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos FDB1D7N10CL7.pdf

Atributos del producto

Número de pieza FDB1D7N10CL7
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 268A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.65 mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 700µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 163nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 11600pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
Paquete / caja TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Peso 0.001 KG
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