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| Número de pieza del fabricante | FDMD86100 |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Arreglos |
| Cantidad disponible | 191780 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 100V |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | FDMD86100.pdf |
| Número de pieza | FDMD86100 |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2060pF @ 50V |
| Potencia - Max | 2.2W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-PowerWDFN |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-Power 5x6 |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | FDMD86100 |
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