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| Número da peça do fabricante | FDMD86100 |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Quantidade disponível | 191780 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | MOSFET 2N-CH 100V |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | FDMD86100.pdf |
| Número da peça | FDMD86100 |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET Feature | Standard |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 100V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 10A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2060pF @ 50V |
| Power - Max | 2.2W |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 8-PowerWDFN |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-Power 5x6 |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | FDMD86100 |
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