ON Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com FDP038AN06A0-F102
Número de pieza del fabricanteFDP038AN06A0-F102
FabricanteON Semiconductor
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible64290 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos FDP038AN06A0-F102.pdf

Atributos del producto

Número de pieza FDP038AN06A0-F102
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 124nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6400pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 310W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / caja TO-220-3
Peso 0.001 KG
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Repuesto FDP038AN06A0-F102

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