ON Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com FDZ3N513ZT
Número de pieza del fabricanteFDZ3N513ZT
FabricanteON Semiconductor
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible130280 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos FDZ3N513ZT.pdf

Atributos del producto

Número de pieza FDZ3N513ZT
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 462 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V
Vgs (Max) +5.5V, -0.3V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 85pF @ 15V
Característica FET Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (Máx) 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 4-WLCSP (1x1)
Paquete / caja 4-UFBGA, WLCSP
Peso 0.001 KG
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