| Número de pieza del fabricante | FF23MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Arreglos |
| Cantidad disponible | 47030 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | FF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf |
| Número de pieza | FF23MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 15V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
| Potencia - Max | 20mW |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | Module |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Module |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | FF23MR12W1M1B11BOMA1 |
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