| Número de pieza del fabricante | GB01SLT12-252 |
|---|---|
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| categoria de producto | Diodos - Rectificadores - Simple |
| Cantidad disponible | 9280 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | GB01SLT12-252.pdf |
| Número de pieza | GB01SLT12-252 |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 1A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 1A |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2µA @ 1200V |
| Capacitancia @ Vr, F | 69pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | GB01SLT12-252 |
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