| Número de pieza del fabricante | GD25S512MDBIGY |
|---|---|
| Fabricante | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| categoria de producto | Memoria |
| Cantidad disponible | 166740 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | NOR FLASH |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | GD25S512MDBIGY.pdf |
| Número de pieza | GD25S512MDBIGY |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | FLASH |
| Tecnología | FLASH - NOR |
| Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
| Frecuencia de reloj | 104MHz |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | 50µs, 2.4ms |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | SPI - Quad I/O |
| Suministro de voltaje | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | - |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | GD25S512MDBIGY |
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