| Número de pieza del fabricante | IPB12CN10N G |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Cantidad disponible | 80110 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3 |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | IPB12CN10N G.pdf |
| Número de pieza | IPB12CN10N G |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 67A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6 mOhm @ 67A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4320pF @ 50V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 125W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | IPB12CN10N G |
Los componentes QY tienen el mejor precio para IPB12CN10N G, Solo vendemos piezas originales.
Si quieres comprar IPB12CN10N G, Puede enviar una solicitud de cotización, o enviarnos un correo electrónico, le enviaremos la cotización dentro de las 12 horas. Después de la cotización, puede realizar su pedido por IPB12CN10N G, Le enviaremos nuestra factura y se la enviaremos a cualquier país.
Nuestro email: [email protected]
QY Components es un distribuidor de almacenamiento de Infineon Technologies todas las series Transistores - FET, MOSFET - Simple componentes También puedes comprar otras partes de Infineon Technologies y Transistores - FET, MOSFET - Simple de nosotros. Como BCR 129F E6327, BCR 129L3 E6327, BCR 129T E6327, BCR129WE6327HTSA1, BCR 133 B6327, BCR 133F B6327, BCR 133F E6327, BCR 133L3 E6327, BCR 133T E6327, BCR133WE6327HTSA1 RFD16N06LESM9A, IPD053N06NATMA1, AON7405, SQJ402EP-T1_GE3, SQD19P06-60L_GE3, STD7ANM60N, SI4459ADY-T1-GE3, SI4463BDY-T1-E3, SI7322DN-T1-GE3, IRFH7446TRPBF.
Comprar Infineon Technologies IPB12CN10N G Con nosotros, ahorra tiempo y dinero.