| 製造業者識別番号 | IPB12CN10N G |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 80110 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPB12CN10N G.pdf |
| 部品番号 | IPB12CN10N G |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 67A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 12.6 mOhm @ 67A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 83µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 65nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4320pF @ 50V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 125W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263AB) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IPB12CN10N G |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IPB12CN10N G, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IPB12CN10N G, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IPB12CN10N G, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった IR3556MTRPBF, TLE84110ELXUMA1, TLE94112ELXUMA1, TLE9202EDXUMA1, BTM7710GPAUMA1, IRSM505-084DA, IRSM515-035PA, IRSM515-025PA, IRSM515-055PA, IRSM515-055DA PSMN3R0-60BS,118, PSMN2R0-30PL,127, IPU80R750P7AKMA1, IPS80R750P7AKMA1, STP3NK60Z, TSM70N900CH C5G, SQR70090ELR_GE3, STF2N62K3, STP4N52K3, IRFU9014PBF.
購入 Infineon Technologies IPB12CN10N G 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。