Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com IPB80N06S2L11ATMA1
Número de pieza del fabricanteIPB80N06S2L11ATMA1
FabricanteInfineon Technologies
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible461876 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos IPB80N06S2L11ATMA1.pdf

Atributos del producto

Número de pieza IPB80N06S2L11ATMA1
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 93µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2075pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 158W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso 0.001 KG
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Repuesto IPB80N06S2L11ATMA1

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