Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com IPB80N06S2L11ATMA1
Référence fabricantIPB80N06S2L11ATMA1
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible461876 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article IPB80N06S2L11ATMA1
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 93µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2075pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 158W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TO263-3-2
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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