Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com IPD25CN10NGATMA1
Número de pieza del fabricanteIPD25CN10NGATMA1
FabricanteInfineon Technologies
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible90710 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos IPD25CN10NGATMA1.pdf

Atributos del producto

Número de pieza IPD25CN10NGATMA1
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 39µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2070pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso 0.001 KG
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