Número de pieza del fabricante | IPD25CN10NGATMA1 |
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Fabricante | Infineon Technologies |
categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
Cantidad disponible | 90710 Pieces |
Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | IPD25CN10NGATMA1.pdf |
Número de pieza | IPD25CN10NGATMA1 |
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Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
Condición | New & Unused, Original Sealed |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 35A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 39µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2070pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 71W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Peso | 0.001 KG |
Solicitud | Email for details |
Repuesto | IPD25CN10NGATMA1 |
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