Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com IPI020N06NAKSA1
Número de pieza del fabricanteIPI020N06NAKSA1
FabricanteInfineon Technologies
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible109810 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 60V 29A TO262-3
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos IPI020N06NAKSA1.pdf

Atributos del producto

Número de pieza IPI020N06NAKSA1
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 29A (Ta), 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 143µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 106nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7800pF @ 30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 3W (Ta), 214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO262-3
Paquete / caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso 0.001 KG
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Repuesto IPI020N06NAKSA1

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