Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com IPP023NE7N3GXKSA1
Número de pieza del fabricanteIPP023NE7N3GXKSA1
FabricanteInfineon Technologies
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible199790 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 75V 120A TO220
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos IPP023NE7N3GXKSA1.pdf

Atributos del producto

Número de pieza IPP023NE7N3GXKSA1
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 75V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 273µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 206nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 37.5V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / caja TO-220-3
Peso 0.001 KG
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Repuesto IPP023NE7N3GXKSA1

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Infineon Technologies Distribuidor

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