Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com IRF6785MTR1PBF
Número de pieza del fabricanteIRF6785MTR1PBF
FabricanteInfineon Technologies
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible152680 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos IRF6785MTR1PBF.pdf

Atributos del producto

Número de pieza IRF6785MTR1PBF
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor DIRECTFET™ MZ
Paquete / caja DirectFET™ Isometric MZ
Peso 0.001 KG
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