Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com IRLHM620TR2PBF
Número de pieza del fabricanteIRLHM620TR2PBF
FabricanteInfineon Technologies
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible116760 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos IRLHM620TR2PBF.pdf

Atributos del producto

Número de pieza IRLHM620TR2PBF
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 26A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3620pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PQFN (3x3)
Paquete / caja 8-VQFN Exposed Pad
Peso 0.001 KG
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