IXYS Distribuidor www.qycomp.com IXTA2N100P
Número de pieza del fabricanteIXTA2N100P
FabricanteIXYS
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible168270 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos IXTA2N100P.pdf

Atributos del producto

Número de pieza IXTA2N100P
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 24.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 655pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 86W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-263 (IXTA)
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso 0.001 KG
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