IXYS Distribuidor www.qycomp.com IXTT3N200P3HV
Número de pieza del fabricanteIXTT3N200P3HV
FabricanteIXYS
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible49780 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
Descripción2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos IXTT3N200P3HV.pdf

Atributos del producto

Número de pieza IXTT3N200P3HV
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 2000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1860pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-268
Paquete / caja TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Peso 0.001 KG
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Repuesto IXTT3N200P3HV

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