IXYS Distribuidor www.qycomp.com IXTY1R6N100D2
Número de pieza del fabricanteIXTY1R6N100D2
FabricanteIXYS
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible10130 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos IXTY1R6N100D2.pdf

Atributos del producto

Número de pieza IXTY1R6N100D2
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 645pF @ 25V
Característica FET Depletion Mode
Disipación de potencia (Máx) 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso 0.001 KG
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