Número de pieza del fabricante | MT3S111(TE85L,F) |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
categoria de producto | Transistores - Bipolar (BJT) - RF |
Cantidad disponible | 65990 Pieces |
Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
Descripción | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | MT3S111(TE85L,F).pdf |
Número de pieza | MT3S111(TE85L,F) |
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Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
Condición | New & Unused, Original Sealed |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 6V |
Frecuencia - Transición | 11.5GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Ganancia | 12dB |
Potencia - Max | 700mW |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete de dispositivo del proveedor | S-Mini |
Peso | 0.001 KG |
Solicitud | Email for details |
Repuesto | MT3S111(TE85L,F) |
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