Renesas Electronics America Distribuidor www.qycomp.com NP83P04PDG-E1-AY
Número de pieza del fabricanteNP83P04PDG-E1-AY
FabricanteRenesas Electronics America
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible70910 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET P-CH 40V 83A TO-263
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos NP83P04PDG-E1-AY.pdf

Atributos del producto

Número de pieza NP83P04PDG-E1-AY
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 83A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3 mOhm @ 41.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9820pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.8W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-263
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso 0.001 KG
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Repuesto NP83P04PDG-E1-AY

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