| Número de pieza del fabricante | NSBC115EPDXV6T1G |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| categoria de producto | Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados |
| Cantidad disponible | 199970 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | SS SOT563 RSTR XSTR TR |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | NSBC115EPDXV6T1G.pdf |
| Número de pieza | NSBC115EPDXV6T1G |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 500nA |
| Frecuencia - Transición | - |
| Potencia - Max | 357mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SOT-563, SOT-666 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-563 |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | NSBC115EPDXV6T1G |
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