ON Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com NTLJF3117PT1G
Número de pieza del fabricanteNTLJF3117PT1G
FabricanteON Semiconductor
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible140020 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos NTLJF3117PT1G.pdf

Atributos del producto

Número de pieza NTLJF3117PT1G
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 531pF @ 10V
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (Máx) 710mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 6-WDFN (2x2)
Paquete / caja 6-WDFN Exposed Pad
Peso 0.001 KG
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