Nexperia USA Inc. Distribuidor www.qycomp.com PMXB65UPEZ
Número de pieza del fabricantePMXB65UPEZ
FabricanteNexperia USA Inc.
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible69150 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos PMXB65UPEZ.pdf

Atributos del producto

Número de pieza PMXB65UPEZ
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 634pF @ 6V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor DFN1010D-3
Paquete / caja 3-XDFN Exposed Pad
Peso 0.001 KG
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