Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor www.qycomp.com RN1109MFV,L3F
Número de pieza del fabricanteRN1109MFV,L3F
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
categoria de productoTransistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
Cantidad disponible91300 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónTRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos RN1109MFV,L3F.pdf

Atributos del producto

Número de pieza RN1109MFV,L3F
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-723
Paquete de dispositivo del proveedor VESM
Peso 0.001 KG
Solicitud Email for details
Repuesto RN1109MFV,L3F

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Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor

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