Número de pieza del fabricante | RN1109MFV,L3F |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
categoria de producto | Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados |
Cantidad disponible | 91300 Pieces |
Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
Descripción | TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | RN1109MFV,L3F.pdf |
Número de pieza | RN1109MFV,L3F |
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Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
Condición | New & Unused, Original Sealed |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Corriente - corte de colector (máximo) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - Max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | SOT-723 |
Paquete de dispositivo del proveedor | VESM |
Peso | 0.001 KG |
Solicitud | Email for details |
Repuesto | RN1109MFV,L3F |
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