Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur www.qycomp.com RN1109MFV,L3F
Référence fabricantRN1109MFV,L3F
FabricantToshiba Semiconductor and Storage
catégorie de produitTransistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
quantité disponible91300 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionTRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article RN1109MFV,L3F
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 150mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-723
Package de périphérique fournisseur VESM
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange RN1109MFV,L3F

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Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur

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