Rohm Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com RQ3E070BNTB
Número de pieza del fabricanteRQ3E070BNTB
FabricanteRohm Semiconductor
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible25800 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos RQ3E070BNTB.pdf

Atributos del producto

Número de pieza RQ3E070BNTB
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 8.9nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-HSMT (3.2x3)
Paquete / caja 8-PowerVDFN
Peso 0.001 KG
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Rohm Semiconductor Distribuidor

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