Vishay Siliconix Distribuidor www.qycomp.com SI3812DV-T1-E3
Número de pieza del fabricanteSI3812DV-T1-E3
FabricanteVishay Siliconix
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible105970 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos SI3812DV-T1-E3.pdf

Atributos del producto

Número de pieza SI3812DV-T1-E3
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (Máx) 830mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso 0.001 KG
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Repuesto SI3812DV-T1-E3

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