Vishay Siliconix Distribuidor www.qycomp.com SI5913DC-T1-GE3
Número de pieza del fabricanteSI5913DC-T1-GE3
FabricanteVishay Siliconix
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible107010 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos SI5913DC-T1-GE3.pdf

Atributos del producto

Número de pieza SI5913DC-T1-GE3
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Last Time Buy
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 10V
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (Máx) 1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 1206-8 ChipFET™
Paquete / caja 8-SMD, Flat Lead
Peso 0.001 KG
Solicitud Email for details
Repuesto SI5913DC-T1-GE3

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Vishay Siliconix Distribuidor

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