Vishay Siliconix Distribuidor www.qycomp.com SI7703EDN-T1-E3
Número de pieza del fabricanteSI7703EDN-T1-E3
FabricanteVishay Siliconix
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible126640 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos SI7703EDN-T1-E3.pdf

Atributos del producto

Número de pieza SI7703EDN-T1-E3
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 800µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (Máx) 1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Paquete / caja PowerPAK® 1212-8
Peso 0.001 KG
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Repuesto SI7703EDN-T1-E3

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