Vishay Siliconix Distribuidor www.qycomp.com SI8819EDB-T2-E1
Número de pieza del fabricanteSI8819EDB-T2-E1
FabricanteVishay Siliconix
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible152510 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos SI8819EDB-T2-E1.pdf

Atributos del producto

Número de pieza SI8819EDB-T2-E1
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 3.7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 8V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 6V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Paquete / caja 4-XFBGA
Peso 0.001 KG
Solicitud Email for details
Repuesto SI8819EDB-T2-E1

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Vishay Siliconix Distribuidor

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