Vishay Siliconix Distribuidor www.qycomp.com SIHB33N60E-GE3
Número de pieza del fabricanteSIHB33N60E-GE3
FabricanteVishay Siliconix
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible48270 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos SIHB33N60E-GE3.pdf

Atributos del producto

Número de pieza SIHB33N60E-GE3
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3508pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 278W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso 0.001 KG
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Repuesto SIHB33N60E-GE3

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