Vishay Siliconix Distribuidor www.qycomp.com SQM120P10_10M1LGE3
Número de pieza del fabricanteSQM120P10_10M1LGE3
FabricanteVishay Siliconix
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible105030 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET P-CH 100V 120A TO263
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos SQM120P10_10M1LGE3.pdf

Atributos del producto

Número de pieza SQM120P10_10M1LGE3
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 190nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9000pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-263 (D²Pak)
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso 0.001 KG
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Repuesto SQM120P10_10M1LGE3

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Vishay Siliconix Distribuidor

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