Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor www.qycomp.com TK12E60W,S1VX
Número de pieza del fabricanteTK12E60W,S1VX
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible102680 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos TK12E60W,S1VX.pdf

Atributos del producto

Número de pieza TK12E60W,S1VX
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 600µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 890pF @ 300V
Característica FET Super Junction
Disipación de potencia (Máx) 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / caja TO-220-3
Peso 0.001 KG
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Repuesto TK12E60W,S1VX

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Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor

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