Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor www.qycomp.com TK31J60W5,S1VQ
Número de pieza del fabricanteTK31J60W5,S1VQ
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible141800 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos TK31J60W5,S1VQ.pdf

Atributos del producto

Número de pieza TK31J60W5,S1VQ
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 30.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 300V
Característica FET Super Junction
Disipación de potencia (Máx) 230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-3P(N)
Paquete / caja TO-3P-3, SC-65-3
Peso 0.001 KG
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Repuesto TK31J60W5,S1VQ

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Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor

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